تأثیر اتلاف روی مدهای نقص در بلور فوتونی یک بعدی

thesis
abstract

در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر از دو مورد دیگر است. همچنین با افزایش دما در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte و pbse موقعیت مد نقص جابجا می شود در حالی که در بلور فوتونی دارای نقص hg1-xcdxte اثری از این جابجایی نیست. سرانجام نمودار تغییرات گذردهی الکتریکی نسبت به فرکانس و دما برای هر سه ماده رسم شده است. که تنها قسمت حقیقی گذردهی الکتریکی pb1-xsnxte با تغییر فرکانس، ثابت می ماند. همچنین در همه موارد با افزایش دما، دامنه ی بخش حقیقی گذردهی الکتریکی ، کاهش و دامنه ی بخش موهومی افزایش می-یابد

similar resources

خواص گاف باند و مدهای نقص بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه نقص پلاسمای مغناطیده

در علم فیزیک و فن آوری، مباحثی چون کاربرد مواد فوتونی و بلورهای نوری که امروزه در عرصه علمی و تکنولوژی از اهمیت بسزایی برخوردار است، از به روزترین مسائل می باشد. در این میان، بررسی ویژگی های بلورهای فوتونی یکی از مباحث مهم جامعه ی علمی است. بیشترین اهمیت بلورهای فوتونی به خاطر وجود باندهای ممنوعه و مدهای نقص آنها است که توانایی کنترل نور را آسانتر می کند.

تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن

امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غ...

full text

بررسی مدهای عبوری در بلور فوتونی دو لایه‌ای بی‌نظم

در این مقاله، با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف عبوری بلور فوتونی یک بعدی ‌دولایه‌ای بی‌نظم را با نقص بررسی خواهیم کرد و دو حالت بی‌نظمی مربوط به ضخامت و طول اپتیکی را در نظر گرفته و جابه جایی طول موج مد نقص را در این دو حالت در دو قطبش TE و TM بررسی خواهیم کرد. مشاهده می‌شود که با افزایش مرتبه بی‌نظمی در هر دو حالت متقارن و نامتقارن و در دو مورد بی‌نظمی ضخامت و طول اپتیکی، مدهای نقص به سمت ...

full text

خواص مدهای نقص بلور فوتونی نانولایه دی الکتریک-فلز سه تایی در یک بعد

در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی ...

15 صفحه اول

تزویج مدهای سطحی در بلور فوتونی دو بعدی

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی است، که از یک سری میله های دی الکتریک که در یک زمینه ی دی الکتریک همگن با ضریب دی الکتریک متفاوت قرار...

15 صفحه اول

تنظیم پذیری مدهای موجبری در بلور فوتونی دو بعدی

. بلور مایع جزو مواد ناهمسانگرد بوده که ثابت دی الکتریک آن بصورت تانسوری می باشد و تحت تاثیر عوامل خارجی مانند میدان الکتریکی تغییر می کند. در این پایان نامه به منظور تنظیم پذیری الکتریکی مدهای موجبری، از بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه های مربعی و مثلثی ساخته شده از حفره های هوا در زمینه آلومینا استفاده شده است که یک ردیف از حفره های هوا توسط بلور مایع نماتیک پر شده اند. مشخصه عمومی بلور مایع ن...

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023